出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料
| 字词 | 高电子迁移率晶体管 |
| 释义 | 高电子迁移率晶体管 高电子迁移率晶体管 亦称“异质结构场效应晶体管”、“调制掺杂场效应晶体管”、“二维电子气场效应晶体管”。英语缩写HEMT。采用两种具有不同带隙的材料形成结（比如异质结）作为沟道来代替常规的掺杂区域的场效应晶体管。按所用衬底材料和沟道外延层结构的不同，分砷化镓基铝镓砷/砷化镓高电子迁移率晶体管、磷化铟基铟铝砷/铟镓砷高电子迁移率晶体管等很多种类。按工作所用的电压偏置不同，分增强型和耗尽型两种。是速度最快的电子器件之一。常应用于微波毫米波的高频高速器件和电路。 出处：材料科学卷 • 信息功能材料 • 砷化镓和磷化铟基化合物半导体材料 |
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