出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
字词 | 翘曲效应 |
释义 | 翘曲效应 翘曲效应 沟道漏电极电流和沟道漏极电压的非饱和特性。是绝缘体上硅结构中的一个独特现象。产生的原因有二:(1) 绝缘体上硅没有接地,形成电位浮空,当漏极的反偏pn结流过电流时,会使硅层的电位提高,从而增加沟道电导,故随着漏电压的增大,漏电流也增大,形成非饱和特性。(2) 在高的漏电压下,漏端附近的载流子会产生雪崩倍增,从而使漏极电流随漏极电压而迅速增加。若把硅层连接到源电极上,则可明显改善漏极电流-电压的饱和特性。 出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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