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字词 绝缘体上硅材料
释义
绝缘体上硅材料
绝缘体上硅材料  英语缩写SOI(silicon on insulator)。在顶层硅和衬底之间引入一层绝缘层的硅基半导体材料。可实现集成电路中元器件的介质隔离,彻底消除体硅CMOS(互补型金属-氧化物-半导体)电路中的寄生闩锁效应。采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。
出处:信息科学卷 • 微电子 • 半导体材料
绝缘体上硅材料  英语缩写SOI。由绝缘衬底和单晶硅层组成的硅基半导体材料。可是一层绝缘衬底加一层单晶硅层,也可是以绝缘薄层为中间层(称为“埋层”)的三明治结构。传统的绝缘埋层一般为二氧化硅层。制作器件时,仅使用顶层的薄硅层来作为器件制作层,而衬底仅起支承作用,三明治结构中埋层将器件制作层与衬底在电学上隔离开,从而减少衬底对器件性能的影响。是纳米技术时代的高端硅基材料。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
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更新时间:2025/6/28 15:49:12