出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
字词 | 智能剥离技术 |
释义 | 智能剥离技术 智能剥离技术 通过向硅片注入氢离子制备绝缘体上硅的技术。是国际上绝缘体上硅材料的主流制备技术。主要工艺步骤有:(1) 利用氢离子注入在硅片中形成气泡层;(2) 将注氢片与另一支承片键合(两个硅片之间至少一片的表面要有热氧化二氧化硅覆盖层);(3) 经适当的热处理使注氢片从气泡层处完整裂开,形成绝缘体上硅结构;(4) 对表面进行化学机械抛光,去掉残留损伤,为器件制备提供光滑表面。氧化埋层是用热氧化法制备,无漏电通道,性能优异。 出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料 |
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