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应变硅锗合金
释义
应变硅锗合金
材料科学卷
应变硅锗合金
外延层受到双轴应力作用的硅锗合金。硅和锗的晶格失配度为4.18%。如在硅衬底上外延生长Si
1-x
Ge
x
薄层时,由于Si
1-x
Ge
x
的晶格常数比硅的晶胞参数大,故在平行于衬底平面的x和y两个方向上,外延层都会受到压缩应力的作用,同时,在垂直于衬底平面的z方向上,外延层会受到拉伸应力的作用。无论哪种应力作用,都将改变外延层的能带结构和禁带宽度。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
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更新时间:2026/3/2 16:20:18