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寄生晶体管效应
释义
寄生晶体管效应
材料科学卷
寄生晶体管效应
在绝缘体上硅器件中,在主晶体管上存在的寄生结构。有寄生双极型晶体管和寄生背栅晶体管两种。如考虑n沟器件情况,则n
+
源、p型硅体和n
+
漏便形成了npn双极晶体管的发射区、基区和集电区,而硅体一般是悬浮的,形成基极浮空的寄生双极晶体管。是绝缘体上硅器件中很多不希望出现效应产生的原因。
出处:材料科学卷 • 信息功能材料 • 元素半导体和硅基材料
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更新时间:2026/9/7 0:04:00